|
|
22.МБ.310. Исследование упорядоченности распределенияпор Al2O3мембраны, изготовленной двухстадийным анодным окислением
Xu Jinxia, Huang Xinming, Qian Lihua. (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei 230009) Huaxue wuli xuebao=Chin. J. Chem. Phys.. 2003. 16, № 3, с. 223–226. Библ. 10. Кит.; рез. англ. Получали пористые мембраны (МБ) из Al2O3 двухстадийным анодным окислением в кислом растворе. Изготовленная МБ служила шаблоном для производства наноструктурир. материалов. Отмечено, что применение метода двухстадийного анодного окисления значительно улучшило распределение пор. Исследовали причину более совершенной упорядоченности распределения пор в результате двухстадийного анодного окисления. Установлено, что область дальнего порядка достигнет 3-4 мкм. Для того чтобы увеличить степень упорядоченности, Al нагревали, увеличивая размер зерен. Показано, что прогрев не вел к улучшению упорядоченности. В действительности, размер зерен Al определял размер области упорядоченности.
Ключевые слова: []АКК окисление анодное, н двухстадийное, АКК мембраны, АКК алюминий оксид, АКК пористость, н упорядоченность
|
|
|
|
Для того, чтобы мы могли качественно предоставить Вам информацию, мы используем cookies, которые сохраняются на Вашем компьютере (сведения о местоположении; ip-адрес; тип, язык, версия ОС и браузера; тип устройства и разрешение его экрана; источник, откуда пришел на сайт пользователь; какие страницы открывает и на какие кнопки нажимает пользователь; эта же информация используется для обработки статистических данных использования сайта посредством интернет-сервисов Google Analytics и Яндекс.Метрика). Нажимая кнопку «СОГЛАСЕН», Вы подтверждаете то, что Вы проинформированы об использовании cookies на нашем сайте. Отключить cookies Вы можете в настройках своего браузера.
Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается копирование
материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору
|