А. А. Олиференко, С. А. Писарев, В. А. Палюлин, Н. С. Зефиров
Оценка S-характера галогенов в основной валентности из
анализа геометрии электронных пар валентной оболочки
Реферат
Предложен новый метод оценки s-характера галогенов,
основанный на анализе взаимного расположения электронных пар валентной
оболочки. Локализация электронных пар определялась из анализа топологии
скалярного поля лапласиана электронной плотности L(r) = –Ñ2r(r)–С2r(r), полученного из неэмпирических
квантовохимических расчетов. Гибридизационные характеристики галогенов,
полученные таким образом, могут быть применены для построения параметрических
расчетных схем молекулярного моделирования.
Полный текст статьи в формате PDF
Вестник Московского Университета.
Химия 2000, том 41, № 5, стр. 325-327
Copyright (C) Химический факультет МГУ, 2000
|