ChemNet
 
Вестник Московского Университета, серия "Химия"
Предыдущая статья Следующая статья Содержание  

А. А. Олиференко, С. А. Писарев, В. А. Палюлин, Н. С. Зефиров

Оценка S-характера галогенов в основной валентности из анализа геометрии электронных пар валентной оболочки

Реферат

Предложен новый метод оценки s-характера галогенов, основанный на анализе взаимного расположения электронных пар валентной оболочки. Локализация электронных пар определялась из анализа топологии скалярного поля лапласиана электронной плотности L(r) = –Ñ2r(r)–С2r(r), полученного из неэмпирических квантовохимических расчетов. Гибридизационные характеристики галогенов, полученные таким образом, могут быть применены для построения параметрических расчетных схем молекулярного моделирования.

  Полный текст статьи в формате PDF

Вестник Московского Университета.
Химия 2000, том 41, № 5, стр. 325-327


Copyright (C) Химический факультет МГУ, 2000


Сервер создается при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований
Не разрешается  копирование материалов и размещение на других Web-сайтах
Вебдизайн: Copyright (C) И. Миняйлова и В. Миняйлов
Copyright (C) Химический факультет МГУ
Написать письмо редактору