ХИМИЧЕСКИЙ ТРАНСПОРТ
СУЛЬФОИОДИДА СУРЬМЫ И ЕГО АНАЛОГОВ
доцент, к.х.н. В.А. Алешин

План работы
I.Основные положения термодинамики и кинетики химического транспорта.
II.Выбор условий кристаллизации SbSI.
III. Проведение эксперимента.
IV. Оформление отчета.
Литература.
Приложение: Копии некоторых цитируемых источников.


План работы

Цель работы: Освоение теоретических и практических принципов получения из пара соединений, разлагающихся при испарении.

  1. Теория.
  2. Эксперимент.
  3. Материалы и реактивы.
  4. Оборудование.
  5. Затраты времени на проведение эксперимента.

1. Теория

а) Использование P-T-x фазовых диаграмм для выбора термодинамических условий получения конденсированных фаз заданного состава.

б) Химический транспорт через пар. Термодинамические принципы выбора транспортирующего агента. Скорость массопереноса при сублимации и химическом транспорте. Типы массопереноса: диффузия и конвекция.

в) Понятие о кристаллизации из пара и лимитирующих стадиях. Расчет скоростей массопереноса в зависимости от температур испарения, кристаллизации и концентрации транспортирующего агента. Оптимизация условий кристаллизации из пара.

2. Эксперимент

а) Теоретический выбор условий кристаллизации и расчет количества транспортирующего агента.

б) Синтез SbSI ( или используется готовый ).

в) Подготовка и загрузка ампулы.

г) Проведение эксперимента по росту.

д) Фазовый анализ полученного соединения, обработка данных по скоростям массопереноса, сравнение с расчетом и оформление отчета.

е) Построение температурной зависимости диэлектрической проницаемости кристаллов SbSI и определение температуры Кюри.

ж) Оформление отчета и защита работы.

3. Материалы и реактивы

а) Реактивы ( Sb, I, S ) или Sb2S3 и SbI3.

б) Материалы: ампулы из "молибденового стекла".

4. Оборудование

а) вакуумный пост ( 10-2 - 10-3 мм рт. ст. ).

б) двухзонная печь ( Tmax=450.C ), прозрачная, стеклянная.

5. Затраты времени на проведение эксперимента

а) синтез SbSI: 1-3 суток.

б) рост кристаллов: 1-2 недели.


I. Основные положения термодинамики и кинетики химического транспорта

  1. Химический транспорт.
  2. Направление химического транспорта.
  3. Скорость химического транспорта.

I.1. Химический транспорт.

Химический транспорт - это явление возрастания скорости массопереноса какого-либо вещества в замкнутой системе в градиенте температуры при добавлении небольших количеств другого летучего вещества, играющего как бы роль катализатора переноса и не расходующегося в течении всего времени процесса.

Химический транспорт может происходить как в газовой так и жидкой средах.

Химический транспорт в газовой среде осуществляется в результате обратимой реакции взаимодействия летучей добавки транспортирующего агента (транспортера) с транспортируемым веществом с образованием газообразных продуктов реакции.

Обратимая химическая реакция транспортируемого вещества с транспортирующим агентом называется химической транспортной реакцией и в общем случае может быть записана в следующем виде:

где:
A(тв.) - транспортируемое вещество;
B(г.) - транспортирующий агент;
C(г.), D(г.) - газообразные продукты реакции.

При химическом транспорте при температуре T(1) происходит прямая реакция (1), а при температуре T(2) - обратная реакция с выделением транспортируемого вещества и транспортирующего агента.

I.2. Направление химического транспорта.

Химический транспорт может происходить как при T(1)>T(2), так и при T(1)<T(2). Направление химического транспорта определяется знаком энтальпии реакции (1). Парциальные давления летучих компонентов при температуре T связаны константой равновесия реакции (1) уравнением:

и с термодинамическими параметрами реакции (1):

Естественно, что химический транспорт возможен только при наличии в паре всех газобразных компонентов реакции (1), что возможно только в случае близости константы равновесия к 1. В работе [1] указываются приблизительные границы значений 0.01<Kp<100, при которых возможен химический транспорт.

I.3. Скорость химического транспорта.

Скорость химического транспорта, как правило, лимитируется скоростью диффузии через пар компонента, имеющего минимальное парциальное давление в равновесии (1) и связана с потоком любой молекулярной формы условием стехиометрии потоков:

Поток любой молекулярной формы можно представить в следующем виде [6]:

где:
j(i) - поток i-го компонента;
Di - коэффициент диффузии;
deltaPi - разность парциальных давлений i-го компонента;
L - длина диффузионного пути;
v - скорость перемещения всей массы газа (Стефановского потока)

Схематически направления потоков газообразных компонентов представлены на рис.1.

Для лимитирующего потока молекул ( Plim=min ) вкладом Стефановского потока можно пренебречь и поток лимитирующего компонента j(lim) можно описать в приближении только молекулярной диффузии:

.

T(1)

SbSI

<______________ jI2

jSbI3 ____________>

jS(n) _____________>

T(2)

SbSI

Рис.1. Потоки газообразных компонентов при химическом транспорте SbSI.


II. Выбор условий кристаллизации SbSI.

  1. Постановка задачи.
  2. Основные принципы выбора условий роста SbSI.

II.1. Постановка задачи.

а) Соединение SbSI при нагревании разлагается на нелетучий Sb2S3(тв.) и газообразный SbI3(г.).

б) Рост кристаллов SbSI происходит в двухтемпературной градиентной печи в запаянной стеклянной ампуле (рис.1). В качестве транспортирующей добавки используется иод или сера.

в) Исходный SbSI помещается в зону с температурой T(1)>T(2).

г) Кристаллизация SbSI происходит при температуре T(2).

д) При температуре T(1) происходит частичная диссоциация SbSI(тв.) на нелетучий Sb2S3(тв.) и газообразный SbI3(г.), что приближенно соответствует трехфазному равновесию SSbSISSb2S3V на P-T-x фазовой диаграмме системы Sb2S3-SbI3.

е) В зоне кристаллизации при T(2) наблюдается только двухфазное равновесие SSbSIV.

ж) Уравнение химической транспортной реакции имеет следующий вид:

II.2. Основные принципы выбора условий роста SbSI.

а) Определение области кристаллизации SbSI с использованием P-T-x фазовой диаграммы системы Sb2S3-SbI3 [1].

Согласно постановке задачи при температуре T(1) осуществляется трехфазное равновесие SSbSISSb2S3V. Из P-T-x диаграммы системы Sb2S3-SbI3 (рис. 2) находим температурный интервал осуществления этого равновесия, возможные давления паров SbI3 и минимально возможные температуры конденсации SbSI (равновесие SSbSIV) для всего возможного интервала давлений пара иодида сурьмы. Полученные данные представляем в виде диаграммы Tисп. - Tконд..

Нажмите указателем мыши на диаграмму для ее увеличения

Т-х фазовая диаграмма


Рис. 2а Т-х фазовая диаграмма
системы иодид сурьмы-
сульфид сурьмы

Давление насыщенного пара


Рис. 2б Давление насыщенного
пара в системе иодид сурьмы-
сульфид сурьмы

б) Определение температурных условий получения монокристаллов исходя из критериев выбора температур кристаллизации.

Критерии выбора температуры кристаллизации при росте из пара монокристаллов изложены в работах [2,3].

в) Выбор условий роста (T(1), T(2), количество транспортирующей добавки) кристаллов SbSI с заметной скоростью (1-2 г за 10 суток).

Для выбранных температур испарения и кристаллизации рассчитывают оптимальную добавку транспортирующего агента. В качестве добавки для транспорта SbSI рекомендуется использовать серу.

Для определения количества добавки серы решают следующую систему уравнений (пояснения в приложении):

1. PI2(1) + P(1)SbI3 + P(1)S(2) + P(1)S(3) + ... + P(1)S(8) =
= P(2)I2 + P(2)SbI3 + P(2)S(2) + P(2)S(3) + ... + P(2)S(8) (8)

2. VmasSbSI= S * jmasSbSI = - MI2 * jmolI2 (9)

3. jmolI2 = - jmolSbI3 = - sigma_n(jmolS(n) * n) (10)

4. jmolI2 = - (DI2 /RTср.) * (P(1)I2 - P(2)I2/L) (11)

5. P(1)I2 = P(1)SbI3 * (P(1)S(2))1/2/Kp(1) (12)
lnKp(1) = - deltarH0T(1)/RT +deltarS0T(1)/R

6. P(1)S(n) = K(1)p(S(n)) * (P(1)S(2))n/2 (13)

7. lnKp(1) = - deltarH0T(1)/RT +deltarS0T(1)/R (14)

8. P(2)I2 = P(2)SbI3 * (P(2)S(2))1/2/Kp(2) (15)
lnKp(2) = - deltarH0T(2)/RT +deltarS0T(2)/R

9. P(1)S(n) = K(2)p(S(n)) * (P(2)S(2))n/2 (16)

10. lnKp(2) = - deltarH0T(2)/RT +deltarS0T(2)/R (17)

11. m(S)/V*M(S) = (1/RTср.) * {[ sigma_i(nu(1)/nu(i)) ] / T(1) + [ sigma_i(nu(1)/nu(i)) ] / T(2)}

где:
P(1)i и P(2)i - парциальные давления молекул при T(1) и T(2);
VmasSbSI - массовая скорость переноса SbSI;
jmasSbSI - массовый поток SbSI;
jmoli - молярный поток i-х молекул;
S, L, V - сечение, длина и объем ростовой ампулы;
- deltarH0T(1) и - deltarS0T(1)- стандартные энтальпия и энтропия реакции (
7) при n=2;
Kp(1) и Kp(2) - константы равновесия реакции (
7);
K(1)p(S(n)) и K(2)p(S(n)) - константы равновесия реакций;
m(S) и M(S) - навеска и молекулярный вес серы.

Решении этой системы уравнений проводится по программе 'SbSI'. С использованием этой программы строят график зависимости скорости массопереноса от количества добавляемой серы и находят концентрацию серы, соответствующую максимуму скорости массопереноса.


III. Проведение эксперимента.

  1. Синтез SbSI.
  2. Рост кристаллов SbSI.
  3. Рентгенофазовый анализ.
  4. Определение температуры Кюри.

III.1. Синтез SbSI.

Синтез SbSI проводят в кварцевой вакуумированной ампуле из стехиометрических количеств сурьмы, серы и иода. Вначале во взвешенную кварцевую ампулу помещают навеску серы и переплавляют в вакууме с целью обезвоживания. Затем по величине навески серы рассчитывают количества сурьмы и иода. Навески измельченных сурьмы и иода вносят в ампулу. Ампулу откачивают фарвакуумным насосом до остаточного давления 10-2 тор и запаивают. Синтез проводят при температуре 500.С в течение 3-х суток. Нагрев до температуры синтеза ведут с промежуточными остановками на 3-4 часа при 150, 200 и 300.С в течение 1 суток. Охлаждение в режиме выключенной печи. Всего синтезируют 20 г вещества.

III.2. Рост кристаллов

Кристаллы SbSI выращивают в стеклянных ампулах, помещенных в двухзонную градиентную печь.

  1. Подготовка и загрузка ампулы.
  2. Выращивание кристаллов.
  3. Сравнение рассчитанных и экспериментальных скоростей массопереноса.

III.2.1. Подготовка и загрузка ампулы.

Ампулы промывают концентрированной азотной кислотой и споласкивают дистиллированной водой. Навеску SbSI 10 г и рассчитанное количество серы загружают в сухую апмулу. Ампулу вакуумируют до остаточного давления 10 тор и запаивают.

III.2.2. Выращивание кристаллов.

Ампулу с веществом помещают в печь и выдерживают в обратном градиенте температурыв течении 1 суток с целью очистки зоны кристаллизации от остатков вещества. Температура зоны испарения при этом поддерживается близкой к рабочей, а температура зоны кристаллизации на 40 - 60 .С выше температуры зоны испарения. Затем температуру зоны кристаллизации понижают до заданного значения со скоростью 1 град/час. Рост кристаллов ведут в течение 10 суток, после чего печь с ампулой выключают.

III.2.3. Сравнение рассчитанных и экспериментальных скоростей массопереноса.

Экспериментальной скорость массопереноса определяют по массе кристаллов, выросших за время проведения эксперимента. Теоретическую скорость массопереноса рассчитывают по программе 'SbSI' для реальных температур испарения и кристаллизации, количества добавляемой серы и геометрических размеров ампулы.

III.3. Рентгенофазовый анализ.

Рентгенофазовый анализ полученных кристаллов проводится методом порошка с использованием камеры-монохроматора Гинье. Рентгенограммы промеряются с помощью компаратора ИЗА-2. Параметры решетки рассчитываются по программе 'POWDER'.

III.4. Определение температуры Кюри.

Для определения температуры перехода сегнетофазы в парафазу (температуры Кюри) измеряют температурную зависимость диэлектрической проницаемости () SbSI в интервале температур 0 - 30 .С. Измерения проводят в терморегулируемой ячейке с использованием измерителя емкости и индуктивности E7-12. Из полученного графика зависимости от температуры находят температуру Кюри (Tс ).


IV. Оформление отчета.

В отчете должны быть отражены следующие моменты:

  1. Определение области конденсации SbSI.
  2. Обоснование выбора температур испарения и кристаллизации.
  3. График зависимости скорости массопереноса SbSI от количества добавляемой серы. Расчет оптимальной добавки серы.
  4. Наблюдения зарождения и роста кристаллов SbSI.
  5. Рентгенофазовый анализ. Расчет параметров решетки.
  6. Расчет скорости массопереноса. Сравнение с экспериментом.
  7. Построение графика = f(T). Определение Tc .

Литература:

Основная литература:

1. Новоселова А.В. Фазовые диаграммы, их построение и методы исследования. М.: МГУ, 1987, с.128-147.

2. Шефер Г. Химические транспортные реакции. М.: Мир, 1964

3. Калдис Э. Принципы выращивания монокристалов из паровой фазы.- В кн.: Рост кристаллов. М.: Мир, 1977, т.1, с.75-243.

4. Термодинамика и материаловедение полупроводников. / Под ред. В.М. Глазова. М.: Металлургия, 1992. с.322-334.

Дополнительная литература:

5. Лодиз Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. М.: Мир, 1974.

6. Франк-Каменецкий Д.А. Диффузия и теплопередача в химической кинетике. М.: Наука, 1967.

7. Зломанов В.П. Р-Т-х диаграммы двухкомпонентных систем. М.: МГУ, 1980.

8. Поповкин Б.А. Физико-химические основы управляемого синтеза сульфоиодида сурьмы и других халькогено(оксо)галогенидов сурьмы и висмута. Автореферат и диссертация докт.хим.наук. М., 1983.

9. Поповкин Б.А., Долгих В.А., Трифонов В.А., Белоусов В.И., Новоселова А.В. Изучение давления и состава пара над некоторыми полупроводниковыми соединениями типа AVBVICVII. - В сб. Химия парообразных неорганических соединений и процессов парообразования. Минск, 1973, с.153-155.

10. Термические константы веществ. / Справочник под ред. В.П. Глушко. М.: ВИНИТИ, вып. I-III, 1965-1968.

.